Ультрашвидкісний зарядний пристрій Celebrat C-S7 GaN потужністю 65 Вт

1. Технологія нітриду галію GaN, ексклюзивна технологія контролю температури BCT
2. Підтримка надшвидкої зарядки, розроблена з урахуванням невеликих розмірів та наднизької температури
3. Стильний зовнішній вигляд, глянсова текстура поверхні.
4. Підтримка інтелектуального ідентифікаційного чіпа, швидкої зарядки та захисту зарядки одночасно
5. Сумісний з мультипротоколом Type-C: QC3.0, QC2.0, AFC, FCP, SCP, BC1.2, Apple2.4A, PD/PPS
6. Сумісний з USB-протоколами: QC3.0, QC2.0, AFC, FCP, SCP, BC1.2, Apple2.4A